9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開(kāi)始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時(shí)也標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新史步入一個(gè)新紀(jì)元。
該項(xiàng)目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，滿產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、無(wú)人駕駛、手機(jī)快充等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展提供核心電子元器件。
英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，總占地24.5萬(wàn)平方米，屬于江蘇省重點(diǎn)項(xiàng)目，一期投資總額超60億元人民幣。項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年年底進(jìn)入試生產(chǎn)階段。
英諾賽科相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，氮化鎵功率芯片量產(chǎn)線的通線投產(chǎn)，填補(bǔ)了我國(guó)高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白，同時(shí)也意味著制約我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸得到突破。
關(guān)于英諾賽科：
英諾賽科于2015年底成立，是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵芯片開(kāi)發(fā)與制造的企業(yè)，成立至今先后引進(jìn)了近百名國(guó)際一流知名半導(dǎo)體企業(yè)的頂尖人才，組建國(guó)際一流半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開(kāi)展自主研發(fā)工作，形成了自主可控核心技術(shù)，并已申請(qǐng)290余項(xiàng)國(guó)內(nèi)外核心專利。
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